[发明专利]利用MOCVD沉积金属氧化物薄膜的方法无效
| 申请号： | 200310123290.0 | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1510162A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 庄维佛;许胜藤;潘威 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/06 | 分类号： | C23C16/06;C23C16/40;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | MOCVD法用于形成含金属膜，含金属膜的通式是M’xM”(1－x)MyOz，其中，M’是选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Y、Sc、Yb、Lu和Gd的金属；M”是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Zn和Cd的金属；M是选自Mn、Ce、V、Fe、Co、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ni的金属；x是0－1；y是0、1或2；z是1－7的整数。MOCVD法使用选自醇盐前体、β－二酮化物前体和羰基金属前体的前体组合，生成包括电阻记忆材料的含金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 mocvd 沉积 金属 氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于在基底上形成含金属膜的MOCVD法，其包括：a)向含有基底的反应器中加入醇盐前体；和b)向含有基底的反应器中加入第二种含金属的前体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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