[发明专利]半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具有效
| 申请号： | 200310123320.8 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1512638A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 大岛升 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光器件包括其上层叠包括有源层的半导体薄膜的半导体衬底、分别设置在衬底的相对表面上的一对电极、在暴露有源层和至少一个电极的边缘的衬底侧面上限定的发光表面、和覆盖发光表面的保护膜。该保护膜在电极边缘上的厚度小于在有源层上的厚度。这种布置可以抑制电极材料在保护膜中的扩散和充分地保护了发光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 使用 夹具 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器件，包括：其上层叠包括有源层的半导体薄膜的半导体衬底；分别设置在衬底的相对表面上的一对电极；在暴露有源层和至少一个电极的边缘的衬底侧面上限定的发光表面；和覆盖发光表面的保护膜，该保护膜在电极边缘上的厚度小于在有源层上的厚度。
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