[发明专利]低温多晶硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 200310123443.1 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1635610A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张世昌;洪郁婷;江典声;李光振;林敬伟;蔡耀铭 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/30;H01L21/477;H01L21/461 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种低温多晶硅薄膜的制造方法，该方法是首先在基板上形成一非晶硅层，接着，对非晶硅层进行回火制程，使得非晶硅层转变为多晶硅层(多晶硅薄膜)，其中在回火的过程中，在多晶硅层的表面会形成数个突起物。继之，对多晶硅层进行表面平坦化处理步骤。本发明可以解决现有技术中制得的多晶硅层其表面具有突起物而造成种种缺点，还可以有效的解决低温多晶硅薄膜表面存在突起物而影响后续所制作出的元件的作动问题。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低温多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其至少包括：在一基板上形成一非晶硅层；对该非晶硅层进行一回火制程，以使该非晶硅层转变为一多晶硅层，其中该多晶硅层的表面形成数个突起物；以及对该多晶硅层进行一表面平坦化处理步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
