[发明专利]精确控制离子注入浓度的方法及同步控制压力补偿因子的方法无效
申请号: | 200310123504.4 | 申请日: | 2003-12-24 |
公开(公告)号: | CN1632920A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 许恒凯;陈昱企 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 贾静环;宋莉 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种精确控制离子注入浓度的方法,首先分析离子注入机中的残余气体,之后测量这些残余气体在离子注入机内的分压,其中若有三种残留气体残留在离子注入机内,则第一、第二、第三残余气体的分压分别为P1、P2、P3,且第一、第二、第三残余气体的K常数分别为K1、K2、K3,其中K表示残余气体与离子束产生电荷交换反应的能力。之后,测量离子束的电流值Im,因此离子束实际注入量Ir为:Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。因本发明将离子注入机内各种残余气体的分压以及与离子束产生电荷交换反应的能力都列入考量,因此可以精确的控制离子注入的浓度。 | ||
搜索关键词: | 精确 控制 离子 注入 浓度 方法 同步 压力 补偿 因子 | ||
【主权项】:
1.一种精确控制离子注入浓度的方法,包括:分析离子注入机中的残余气体;测量所述残余气体在该离子注入机内的分压,其中有三种残留气体,则第一残余气体的分压为P1、第二残余气体的分压为P2、第三残余气体的分压为P3,且该第一残余气体的常数为K1、第二残余气体的常数为K2、第三残余气体的常数为K3,其中K1、K2、K3表示第一、第二、第三残余气体与离子束产生电荷交换反应的能力;以及测量该离子束的电流值Im,其中该离子束实际注入量Ir为:Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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