[发明专利]精确控制离子注入浓度的方法及同步控制压力补偿因子的方法无效

专利信息
申请号: 200310123504.4 申请日: 2003-12-24
公开(公告)号: CN1632920A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 许恒凯;陈昱企 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01J37/317
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 贾静环;宋莉
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种精确控制离子注入浓度的方法,首先分析离子注入机中的残余气体,之后测量这些残余气体在离子注入机内的分压,其中若有三种残留气体残留在离子注入机内,则第一、第二、第三残余气体的分压分别为P1、P2、P3,且第一、第二、第三残余气体的K常数分别为K1、K2、K3,其中K表示残余气体与离子束产生电荷交换反应的能力。之后,测量离子束的电流值Im,因此离子束实际注入量Ir为:Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。因本发明将离子注入机内各种残余气体的分压以及与离子束产生电荷交换反应的能力都列入考量,因此可以精确的控制离子注入的浓度。
搜索关键词: 精确 控制 离子 注入 浓度 方法 同步 压力 补偿 因子
【主权项】:
1.一种精确控制离子注入浓度的方法,包括:分析离子注入机中的残余气体;测量所述残余气体在该离子注入机内的分压,其中有三种残留气体,则第一残余气体的分压为P1、第二残余气体的分压为P2、第三残余气体的分压为P3,且该第一残余气体的常数为K1、第二残余气体的常数为K2、第三残余气体的常数为K3,其中K1、K2、K3表示第一、第二、第三残余气体与离子束产生电荷交换反应的能力;以及测量该离子束的电流值Im,其中该离子束实际注入量Ir为:Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂德科技股份有限公司,未经茂德科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310123504.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top