[发明专利]在半导体装置中形成阻挡金属的方法无效
| 申请号： | 200310123508.2 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1519895A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 高昌辰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种在半导体装置中形成阻挡金属的方法。该方法包括下列步骤：a)在底层上图案化多孔膜以形成通孔；b)在包括该通孔的整个结构上沉积CVD TiN膜；c)使用N2+H2实施等离子体处理工艺；d)重复步骤b)和c)，以便使用CVD TiN只掩埋在该多孔膜表面上形成的孔；以及e)在包括该通孔的整个结构上形成阻挡金属。因此，本发明可防止在后续工艺中将导电材料引入至底层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 阻挡 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体装置中形成阻挡金属的方法，包括以下步骤：a)在底层上图案化多孔膜以形成通孔；b)使用CVD TiN膜来掩埋所述通孔的侧壁的孔；以及c)在包括所述通孔的整个结构上形成阻挡金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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