[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200310123558.0 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1519933A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明;丸山纯矢;大野由美子;高山彻;后藤裕吾;新川悦子;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种安装有膜状集成电路的半导体器件，其中所述膜状集成电路通过从衬底分离出在该衬底上形成的集成电路而制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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