[发明专利]金属膜内晶粒生长控制方法无效
| 申请号： | 200310123560.8 | 申请日： | 1999-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1516243A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | P·W·德哈文;C·C·高德史密斯;J·L·赫特;S·卡杰;M·S·勒格雷;F·D·佩费托 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/445;H01L21/324;H01L21/477;C22F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;段晓玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70－100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过－20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 晶粒 生长 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制沉积在底物上薄金属膜的微结构中晶粒长大的方法，该方法包括步骤：(a)、在底物上沉积一种金属膜，形成一种具有微细晶粒的微结构的薄膜，和(b)、在不超过-20℃温度的条件下将此金属膜冷冻，其中使微细晶粒的微结构稳定，而在整个存储期间晶粒不长大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
