[发明专利]半导体器件以及其制作方法

摘要

本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。

主权项

1.一种在绝缘性衬底上按顺序层叠布线部分，第一半导体元件，第二半导体元件的半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：用半导体衬底形成所述第一半导体元件的集成电路；在所述绝缘性衬底上粘合所述第一半导体元件，二者中间夹所述布线部分；在第一衬底的表面上按顺序层叠金属膜，金属氧化膜，绝缘膜，半导体薄膜；执行热处理来晶化所述金属氧化膜和所述半导体薄膜；用该晶化过的半导体薄膜形成所述第二半导体元件的集成电路；用第一粘合剂在所述第二半导体元件上粘合第二衬底，并使该第二衬底和所述第一衬底互相面对；在所述金属膜和所述晶化过的金属氧化膜之间，在所述晶化过的金属氧化膜和所述绝缘膜之间，或在所述晶化过的金属氧化膜中用物理方法执行剥离；在所述第一半导体元件上粘合所述第二半导体元件；去除所述第一粘合剂；从所述第二半导体元件剥离所述第二衬底；电连接所述第一半导体元件和所述布线部分，然后电连接所述第二半导体元件和所述布线部分。