[发明专利]能同时读写数据的方法和集成电路有效

专利信息
申请号: 200310124070.X 申请日: 2003-10-27
公开(公告)号: CN1507051A 公开(公告)日: 2004-06-23
发明(设计)人: 孙教民;徐英豪 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;G11C11/34;G06F13/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马莹;邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种在相同时间读和写数据的集成电路和方法。该集成电路具有分离的输入和输出端口并在时钟信号的周期内输入写地址和读地址。该电路包括分别包含多个子存储块的存储块,分别对应存储块的高速缓冲存储块、和标记存储控制单元。标记存储控制单元以响应写地址或读地址控制从存储块和高速缓冲存储块中读数据和对存储块和高速缓冲存储块中写数据。特别地,如果读地址的高位地址和写地址的高位地址彼此相同,在相同的时间执行从存储块和高速缓冲存储块中读取数据并将数据写入存储块和高速缓冲存储块中。
搜索关键词: 同时 读写 数据 方法 集成电路
【主权项】:
1、一种具有分离的数据输入端口和数据输出端口并在时钟信号周期内对其输入写地址和读地址的集成电路,该集成电路包括:多个各自包含多个子存储块的存储块;分别对应存储块的多个高速缓冲存储块;和从存储块和高速缓冲存储块读取数据或将数据写入存储块和高速缓冲存储块以响应写地址和读地址的标记存储控制单元,其中如果读地址的高位地址与写地址的高位地址彼此相同则标记存储控制单元促使集成电路在相同时间从存储块读取数据并将数据写入高速缓冲存储块并且如果读地址的高位地址与写地址的高位地址彼此相同则标记存储控制单元促使集成电路在相同时间从高速缓冲存储块读取数据并将数据写入存储块。
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