[发明专利]分离方法有效
| 申请号： | 200310124240.4 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1516234A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 丸山纯矢;大野由美子;高山彻;后藤裕吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种分离方法，包括步骤：依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜；将支撑物粘接到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层，并从提供有该金属层的衬底通过物理方法分离粘接到该支撑物的该释放层。在分离方法中，进行热处理以便使半导体膜中含有的氢扩散，通过还原在金属膜和第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物，并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该金属膜之间的表面边界，或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该第一氧化物之间的表面边界。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种分离方法，包括：依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜；以及将支撑物接合到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层，并通过物理方法从提供有该金属层的衬底分离粘接到该支撑物的该释放层；其中进行热处理以便使该半导体膜中含有的氢扩散，通过还原在该金属膜和该第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物，并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜和该金属膜之间的表面边界、或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜和该第一氧化物之间的表面边界。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
