[发明专利]利用先桥后金属喷镀制造顺序的坚固超低K互连结构有效
| 申请号： | 200310124321.4 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1514478A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 马修·E·库波恩;埃尔伯特·E·璜;萨特雅纳拉雅纳·V·尼塔;赛姆帕斯·普鲁舒撒曼;凯瑟琳·L·莘格尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在基底上构造低k和超低k多层互连结构的方法包括：被空气间隙横向分离的一组互连；仅在金属导线下方的双嵌刻结构的通孔层中形成支撑层；经过连接互连顶部表面的打孔桥层，清除牺牲电介质；进行牺牲电介质的多层析取；以可控的方式密封该桥；以及通过利用亚光学(sub－optical)光刻法光刻技术对其打孔，降低隔膜的有效电介质常数。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 先桥后 金属 制造 顺序 坚固 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造一组互连结构的方法，包括步骤：(A)在基底表面上形成至少一个电介质的层；(B)在所述电介质层中，形成一组具有槽底部表面的导线槽，所述导线槽中最接近的槽相隔基本规则距离；(C)在所述电介质层的表面上沉积电介质桥层，其中所述桥层在相邻的导线之间形成机械的连接；(D)在所述导线槽中生成延伸经过所述电介质层的一组通孔；(E)以导电衬垫和导电填充金属沉积和填充所述通孔和导线槽，从而形成一组金属导线；(F)通过化学机械抛光将所述金属和所述衬垫层平坦化，使得该金属与所述桥层的顶部共面；以及(G)从所述金属导线组之间析取所述至少一个电介质的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
