[发明专利]半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件有效
| 申请号： | 200310124342.6 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1527451A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郭准燮;蔡秀熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/022;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件，可以分散在将芯片倒装焊接至辅助底座时集中在脊波导上的应力。该激光二极管包括第一材料层、有源层和第二材料层，其特征在于该半导体激光二极管包括：脊波导，其被形成为脊形并位于第二材料层的上方以定义出通道，使得第二材料层的顶部材料层被有限地暴露出来，和其中形成了经由通道与第二材料层的顶部材料层接触的第二电极层；和第一突起，其位于脊波导的一侧并且其高度不低于脊波导的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 包含 组件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，包括：第一和第二材料层，它们是多材料层；和插入在所述第一和第二材料层间用于发光的有源层，其特征在于该半导体激光二极管包括：脊波导，其被形成为脊形并位于该第二材料层的上方以定义出通道，使得该第二材料层的顶部材料层被有限地暴露出来，和其中形成了经由该通道与该第二材料层的该顶部材料层接触的第二电极层；和第一突起，其位于该脊波导的一侧并且具有不低于该脊波导的高度。
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