[发明专利]电容器及其制备方法

摘要

本发明关于一种半导体装置用电容器的制造方法，包含下列步骤：于基板上形成层间绝缘层；通过蚀刻层间绝缘层以形成局部露出部分基板的储存节点接触孔；形成储存节点接触点使埋入接触孔内并具有与层间绝缘层表面相同的平面位准；在层间绝缘层上形成储存节点氧化物层；通过蚀刻储存节点氧化物层而形成一露出储存节点接点的储存节点孔；通过下凹或通过局部地移除露出储存节点接点的上部部分而形成沿着向下方向呈中空形式的支撑孔；以及形成一个具有圆柱体结构且与储存节点接点电连接的储存节点。

主权项

1.一种用于制备半导体装置的电容器的方法，包含下列步骤：在基板上形成一层间绝缘层；形成局部地露出部分基板的一储存节点接触孔，它是通过蚀刻层间绝缘层而形成；形成一储存节点接触点，使其埋入于接触孔内，而具有与该层间绝缘层表面相同的平面位准；在层间绝缘层上形成一储存节点氧化物层；形成一露出储存节点接触点的储存节点孔，它是通过蚀刻该储存节点氧化物层而形成；形成一沿着向下方向呈中空形式的支撑孔，它是通过下凹，或通过局部移除因储存节点孔露出的储存节点接触点的上部部分；以及形成一具有圆柱体结构且与该储存节点接点形成电连接的储存节点，其中将该储存节点的底部部分配置在支撑孔内，以使由此受到该支撑孔及层间绝缘层的支撑。