[发明专利]芯片式电容及其制造方法以及模制模具无效
申请号: | 200310124369.5 | 申请日: | 2003-12-30 |
公开(公告)号: | CN1530978A | 公开(公告)日: | 2004-09-22 |
发明(设计)人: | 筒井诚;长泽寿久 | 申请(专利权)人: | NEC东金株式会社;NEC东金富山株式会社 |
主分类号: | H01G9/004 | 分类号: | H01G9/004;H01G9/008;H01G9/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平 |
地址: | 日本宫城*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种芯片式电容,其包括电容元件、覆盖整个该电容元件的封装树脂、阳极端子、以及阴极端子,该阳极端子具有基部和竖直部分,该基部的底表面暴露在该封装树脂的安装表面上,该竖直部分垂直于该基部并且具有连接到该基部上的一个端部以及焊接到阳极引线上的另一端部,该阴极端子通过导电粘合剂固定在电容元件上,以便在该封装树脂的该安装表面上暴露底表面。凹进部分形成在该封装树脂的每一相面对的侧表面上,由此使得该阳极端子和该阴极端子中的每一个端子的与该底表面相对的顶表面部分地暴露,以便形成从该封装树脂中暴露出来的端子暴露部分。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电容 及其 制造 方法 以及 模具 | ||
【主权项】:
1.一种芯片式电容,其包括电容元件、覆盖整个该电容元件的封装树脂、阳极端子、以及阴极端子,该阳极端子具有基部和竖直部分,该基部的底表面暴露在该封装树脂的安装表面上,该竖直部分垂直于该基部并且具有连接到该基部上的一个端部,该阴极端子具有在该封装树脂的该安装表面上暴露的底表面,该电容元件包括多孔的阳极主体,该主体由具有整流作用的金属制成,其中阳极引线埋入该金属中,以便使该引线的一个端部从其中引出,电介氧化膜形成在该阳极主体上;以及电解质层形成在该电介氧化膜上,并且阴极层形成在该电解质层上,该阳极端子的竖直部分具有焊接到该阳极引线上的另一端部,以便与其相交,该阴极端子通过导电粘合剂连接并固定到该电容元件的该阴极层上,以便使底表面暴露在该封装树脂的该安装表面上,其中:该芯片式电容设置有凹进部分,该凹进部分形成在该封装树脂的每一相面对的侧表面上并且沿垂直于该电容元件的纵向方向的方向延伸,由此使得该阳极端子和该阴极端子中的每一个端子的与该底表面相对的顶表面部分地暴露,以便形成从该封装树脂中暴露出来的端子暴露部分。
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