[发明专利]带电粒子束绘图装置及其缩小率和台架相位测定方法、控制方法无效
申请号: | 200310124437.8 | 申请日: | 2003-12-26 |
公开(公告)号: | CN1512549A | 公开(公告)日: | 2004-07-14 |
发明(设计)人: | 西村慎祐 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/66;G03F7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种带电粒子束绘图装置及其缩小率和台架相位测定方法、控制方法使设于固定的掩模(6)的开口部分(22)朝位置(A)移动,测定在位置(A)的开口部分成形的电子束的试样面上位置(a)。然后,使开口部分(22)朝位置(B)移动,测定由位置B的开口部分成形的电子束的试样面上位置(b)。根据位置(a-b)间的距离与位置(A-B)间的距离的比求出物镜系的缩小率。这样,可精度良好地求出电子束绘图装置的物镜条的缩小率。 | ||
搜索关键词: | 带电 粒子束 绘图 装置 及其 缩小 台架 相位 测定 方法 控制 | ||
【主权项】:
1.一种带电粒子束绘图装置的缩小率测定方法,其特征在于:包括,在载置于带电粒子束绘图装置的掩模台架上的掩模的开口部分位于第1开口位置的状态下,并在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第1台架位置的步骤;在试样台架座标系下测定由位于上述第1开口位置的开口部分成形的、通过物镜系照射到试样面上的带电粒子束的第1照射位置的步骤;使上述开口部分的位置移动到与上述第1开口位置不同的上述第2开口位置、在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第2台架位置的步骤;在上述试样台架座标系下测定由位于上述第2开口位置的上述开口部分成形的、通过上述物镜系照射到上述试样面上的带电粒子束的第2照射位置的步骤;及根据上述第1和第2台架位置及第1和第2照射位置计算上述物镜系的缩小率的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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