[发明专利]电路模拟方法无效

专利信息
申请号: 200310124469.8 申请日: 2003-12-24
公开(公告)号: CN1530664A 公开(公告)日: 2004-09-22
发明(设计)人: 木寺真琴 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G06F17/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在多晶体管电路的电气特性模拟中,在根据多个尺寸排列多个晶体管形成的格子状图形中,存放所述多个晶体管中两个以上第一晶体管的电气特性测量数据。在格子状图形中指定与第一晶体管不同的第二晶体管位置,若有邻接于第二晶体管位置的一个以上第一晶体管位置时,用该一个以上位置的第一晶体管的测量数据按插补规则插补并求出第二晶体管的电气特性。再在格子状图形中指定与第二晶体管不同的另一第二晶体管,若在邻接于另一第二晶体管位置的一个以上位置上,有一个以上第一晶体管和/或已求出插补数据的第二晶体管位置时,用该一个以上位置的第一晶体管测量数据和/或第二晶体管插补数据按所述插补规则插补并求出另一第二晶体管的电气特性。
搜索关键词: 电路 模拟 方法
【主权项】:
1.一种对包含多个晶体管的电路的电气特性进行模拟的电路模拟方法,包括如下步骤:将多个晶体管根据多个尺寸排列成的格子状图形中,存放所述多个晶体管中的两个以上的第一个晶体管电气特性的测量数据;在格子状图形中指定与所述第一晶体管不同的第二晶体管的位置,如果有邻接于所述第二晶体管的位置的一个以上的第一晶体管的位置时,则使用该一个以上的位置的第一晶体管的测量数据,根据插补规则,插补并求出所述第二晶体管的电气特性;再在格子状图形中指定与所述第二晶体管不同的另一第二晶体管,如果在邻接于所述另一第二晶体管的位置上,有一个以上的第二晶体管和/或已经求出插补数据的第二晶体管的位置时,则使用该一个以上的位置的第一晶体管的测量数据和/或第二晶体管的插补数据,根据插补规则,插补并求出所述另一第二晶体管的电气特性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技,未经株式会社瑞萨科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310124469.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top