[发明专利]形成自动对准接触窗方法

摘要

一种形成多晶硅缓冲的自动对准接触窗的方法。首先，在一半导体衬底上形成多个堆叠结构，各个堆叠结构彼此分离且包含一第一多晶硅层、一绝缘层及一第二多晶硅层，其中绝缘层形成于第一多晶硅层上方，第二多晶硅层形成于绝缘层上方。接着在每一堆叠结构的侧壁上形成间隙层，以及形成一介电层于该多个堆叠结构、该多个间隙层与该半导体衬底上。以部分第二多晶硅层为缓冲层，移除部分介电层以形成接触窗于两堆叠结构之间。

主权项

1.一种形成自动对准接触窗的方法，包含：提供一半导体衬底；形成多个堆叠结构于该半导体衬底上，每一该堆叠结构彼此分离且包含一第一多晶硅层、一绝缘层于该第一多晶硅层上以及一第二多晶硅层于该绝缘层上；形成一间隙层于每一该堆叠结构的侧壁上；形成一介电层于该多个堆叠结构、该多个间隙层与该半导体衬底上；及以部份该第二多晶硅层为一缓冲层，移除部分该介电层以形成一接触窗于部分该两堆叠结构之间。