[发明专利]双向光控晶闸管芯片、光触发耦合器及固态继电器有效
| 申请号： | 200310124615.7 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1508881A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 鞠山满;久保胜 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L31/111 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在N型硅衬底41的整个宽度上形成沟道隔离区42，在左侧部分40a和右侧部分40b中形成光控晶闸管，其中在N型硅衬底41的几乎整个宽度上平行于沟道隔离区42形成每个光控晶闸管的阳极扩散区43、P栅扩散区44、阴极扩散区45，反向平行地布线。通过沟道隔离区阻止整流过程中沟道之间残余的空穴移动，由此抑制整流失败，以提高整流性能。而且，尽管半导体芯片被沟道隔离区分开，也可以获得用于控制约0.2A的负载电流的足够大的操作电流。因此，使用这些双向光控晶闸管芯片使之可以实现具有除去主晶闸管的廉价SSR。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 光控 晶闸管 芯片 触发 耦合器 固态 继电器 | ||
【主权项】：
1.一种双向光控晶闸管芯片，包括：在半导体芯片的表面上彼此相距形成的第一光控晶闸管部分和第二光控晶闸管部分；以及在半导体芯片的表面上在其几乎整个宽度上形成的、用于分开第一光控晶闸管部分的沟道和第二光控晶闸管部分的沟道的沟道隔离区；沟道隔离区在与第一光控晶闸管部分的沟道和第二光控晶闸管部分的沟道相交的方向上延伸。
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