[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200310124832.6 | 申请日： | 1999-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1518126A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 十河诚治;上野雄司;山口诚毅;森吉弘;八谷佳明;高桥理;山西雄司;平野龙马 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。
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