[发明专利]精细图形的形成方法有效
| 申请号： | 200310124851.9 | 申请日： | 2003-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1527359A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 金贤友;禹相均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E－束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法，以临时减小抗蚀剂图形的Tg，并允许它流动，从而减小图形中的间隔和开口。 | ||
| 搜索关键词： | 精细 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成精细图形的方法，包括：在衬底上形成光致抗蚀剂层，光致抗蚀剂适于由波长为W1的UV辐射曝光，并具有玻璃转化温度Tg和分解温度Td；受到UV辐射的光致抗蚀剂层的曝光部分形成具有曝光部分和未曝光部分的曝光的光致抗蚀剂层；显影曝光的光致抗蚀剂层，形成第一光致抗蚀剂图形，第一光致抗蚀剂图形具有临界尺寸d1的开口；以及将第一光致抗蚀剂图形暴露在波长为W2的VUV辐射中，从而临时产生有效玻璃转化温度Tgeff，其中Tgeff＜Tg，同时加热第一光致抗蚀剂图形到等于或高于Tgeff的温度，从而产生具有临界尺寸d2的开口的第二光致抗蚀剂图形，其中d2＜d1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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