[发明专利]通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品

摘要

一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制填隙聚集，且还要足够低以便将空位聚集限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片，每个晶片在中央具有富含空位区，包括空位聚集，和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区，无空位聚集和填隙聚集。按照本发明的另一方面，晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭，其拉速要足够高以便防止填隙聚集，且还要足够低以便防止空位聚集。因此，当将该晶锭切割成晶片时，晶片为纯硅晶片，可包含点缺陷，但无空位聚集团的填隙聚集团。

主权项

1.一种用以生长单晶硅锭的Czochralski拉晶炉，其包括：封闭体；在封闭体中的坩埚；在封闭体中的拉晶轴，具有轴向轴和与坩埚相邻的轴端；用以将轴轴向拉离坩埚的装置；在封闭体中至少有一个加热器，其环绕坩埚；和在坩埚与拉晶轴之间的隔热屏，该隔热屏包括在其一端上的盖，该盖将保温材料封闭于其中。