[发明专利]薄膜晶体管及其电子器件和制造方法有效
| 申请号： | 200310124902.8 | 申请日： | 2003-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1527115A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 金道映;朴玩濬;朴永洙;李俊冀;闵约赛;权章渊;徐顺爱;崔荣敏;蔡洙杜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件，包括：一柔性基底；一形成在该柔性基底上的半导体芯片；以及一密封该半导体芯片的保护盖层。
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