[发明专利]基片支架有效
| 申请号： | 200310124982.7 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1558001A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | S·巴德;M·比得;A·瓦尔特;V·赫尔勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C23C16/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强;赵辛 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了在加热步骤中且特别是在外延方法中在基片(2)的整个表面上获得尽量均匀的温度，基片支架(1)形成有温度补偿结构，基片(2)位于该基片支架上。在沉积半导体材料过程中，该基片支架上的均匀温度分布减小了沉积的半导体材料的发射波长，该温度补偿结构在该基片支架(1)上形成适当的温度均匀性，它使基片(2)的温度分布变均匀。例如具有冷却功能的导槽(4)和一个支撑阶梯(5)整体形成在基片支架(1)的边缘区里，该阶梯在该基片(2)和基片支架(1)之间构成一个缝隙(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 支架 | ||
【主权项】：
1、一种特别是用于在一个基片(2)上外延沉积半导体材料(3)的装置的基片支架(1)，该基片支架有一个基片安放面和一个与该基片安放面相对的保持背面，其特征在于，该基片支架(1)具有一个温度补偿结构，它在一个包含加热或冷却的过程中在一个位于该基片支架(1)之上或该基片支架附近的基片(2)的整个表面上产生一个规定的温度分布。
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