[发明专利]半导体集成电路装置及使用它的电子卡有效

专利信息
申请号: 200310124983.1 申请日: 2003-11-28
公开(公告)号: CN1540755A 公开(公告)日: 2004-10-27
发明(设计)人: 泷泽诚 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L27/105;G06K19/07;H01L23/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体集成电路装置,即使集成电路处于没有连接到接地点和电源的状态,也可保护其集成电路不被损坏。该半导体集成电路装置包括:第1导电类型的第1半导体区域(PSUB);具有形成在第1半导体区域(PSUB)中的第2导电类型的源/漏区(D)和在源/漏区间的沟道区上通过栅绝缘膜形成的栅电极(G)的晶体管(N1);电连接到晶体管的漏区(D)的输出端子(PAD);邻接晶体管(N1)的源/漏区(D)且在第1半导体区域(PSUB)中形成的第2导电类型的第2半导体区域(DN),所述笫2半导体区域连接到晶体管(N1)的栅电极(G)。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置 使用 电子卡
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,包括:第1导电类型的半导体区域;具有第2导电类型的源/漏区的第1绝缘栅型场效应晶体管,所述第2导电类型的源/漏区形成在所述第1导电类型的半导体区域中且连接到输出端子;以及邻接所述源/漏区且在所述第1导电类型的半导体区域中形成的第2导电类型的半导体区域,所述第2导电类型的半导体区域连接到所述绝缘栅型场效应晶体管的栅极。
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