[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200310125470.2 | 申请日： | 2003-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1523665A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 高尾幸弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/12;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置机器制造方法，防止断线或分步敷层的劣化，得到具有高可靠性的BGA的半导体装置。连接硅芯片10A的表面上形成的扩展焊盘电极11与该硅芯片10A的背面的重新配线层21。在该情况下，从硅芯片10A的背面侧开始，贯通硅芯片10A，设置到达扩展焊盘电极11的通孔17，通过在该通孔17中埋填的柱状端子20得到两者的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有：在半导体芯片上形成的焊盘电极；粘接在所述半导体芯片的表面上的支承衬底；在从所述半导体芯片的背面直到所述焊盘电极表面的通孔中埋填并与所述焊盘电极相连接的柱状端子；连接所述柱状端子的补片电极。
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