[实用新型]带有外加磁场的深能级测量样品架装置无效

专利信息
申请号: 200320100866.7 申请日: 2003-10-23
公开(公告)号: CN2646690Y 公开(公告)日: 2004-10-06
发明(设计)人: 卢励吾;张砚华;葛惟昆 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N1/36 分类号: G01N1/36;G01N27/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置,其特征在于,其中包括:一个磁铁架,该磁铁架为矩形,在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽;一磁铁座,该磁铁座为矩形,该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架,在该磁铁座的上面开有四个圆孔;该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成,该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。
搜索关键词: 带有 外加 磁场 能级 测量 样品 装置
【主权项】:
1.一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置,其特征在于,其中包括:一个磁铁架,该磁铁架为矩形,在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽;一磁铁座,该磁铁座为矩形,该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架,在该磁铁座的上面开有四个圆孔;该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成,该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。
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