[实用新型]带有外加磁场的深能级测量样品架装置无效
申请号: | 200320100866.7 | 申请日: | 2003-10-23 |
公开(公告)号: | CN2646690Y | 公开(公告)日: | 2004-10-06 |
发明(设计)人: | 卢励吾;张砚华;葛惟昆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01N1/36 | 分类号: | G01N1/36;G01N27/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置,其特征在于,其中包括:一个磁铁架,该磁铁架为矩形,在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽;一磁铁座,该磁铁座为矩形,该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架,在该磁铁座的上面开有四个圆孔;该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成,该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。 | ||
搜索关键词: | 带有 外加 磁场 能级 测量 样品 装置 | ||
【主权项】:
1.一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置,其特征在于,其中包括:一个磁铁架,该磁铁架为矩形,在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽;一磁铁座,该磁铁座为矩形,该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架,在该磁铁座的上面开有四个圆孔;该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成,该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。
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