[实用新型]一种ZnO基发光二极管无效
| 申请号： | 200320108959.4 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN2686097Y | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;袁国栋;黄靖云;曾昱嘉;吕建国;马德伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本设计的ZnO基发光二极管的结构是在衬底上依次沉积n－ZnO薄膜，CdxZn1－xO基层，p－ZnO薄膜层，形成n－ZnO/CdxZn1－xO/p－ZnO单量子阱，然后进行四次光刻，分别得到分割出的pn结单元，n－ZnO台阶，p型电极，n型电极。采用这种结构形式制作的发光二极管除了具有禁带宽度可调，从而制得不同发光波长器件的优点之外，还具有：1)利用共掺杂技术沉积的p－ZnO薄膜采用靶材同n－ZnO薄膜相同，同为AlxZn1－x (0＜x＜0.4)靶材，只是溅射气氛发生变化，这样可以简化操作，避免打开真空室带来的界面污染问题。2)采用同侧制作p、n电极且背面出光的方法，减少电极对光的吸收作用，大大提高发光效率。3)利用标准的IC光刻工艺分割出小的LED单元，可以增加电注入，减少非辐射复合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO基发光二极管，其特征在于它的结构自上而下组成如下：(1)衬底；(2)沉积的n-ZnO薄膜；(3)CdxZn1-xO基层；(4)p-ZnO薄膜层，即在衬底上形成n-ZnO/CdxZn1-xO/p-ZnO单量子阱。
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