[实用新型]碳纳米管薄膜气体传感器无效
申请号: | 200320109992.9 | 申请日: | 2003-12-29 |
公开(公告)号: | CN2751305Y | 公开(公告)日: | 2006-01-11 |
发明(设计)人: | 刘君华;李昕;朱长纯 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01N27/333 | 分类号: | G01N27/333 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 714900*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种碳纳米管薄膜气体传感器,包括一由玻璃或半导体材料或和金属制备的基底以及外部引线;其特点是,在基底上设置一层二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层中分布有叉指型电极,叉指型电极被二氧化硅绝缘层分隔,并且使叉指型电极上面被二氧化硅绝缘层覆盖;在最上边设置有一层由多壁碳纳米管和二氧化硅混合的复合薄膜层。由于本实用新型采用在叉指型电容电极上移植多壁碳纳米管-二氧化硅(SiO2和MWNTS)复合薄膜,作为气敏元的吸附式叉指电容型碳纳米管薄膜气体传感器。具有结构简单、工作可靠、使用寿命长、制备工艺简单、敏感性好等优点。可以广泛用于甲烷,一氧化碳,氢气,乙炔等气体的测试。 | ||
搜索关键词: | 纳米 薄膜 气体 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种碳纳米管薄膜气体传感器,包括一玻璃或半导体材料或金属的基底(1)及外部引线;其特征在于,在基底(1)上印刷有叉指型电极(4),并在叉指型电极(4)上覆盖有二氧化硅绝缘层(2),在二氧化硅绝缘层(2)上有一层多壁碳纳米管和二氧化硅混合的复合薄膜层(3)。
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