[实用新型]低辐射膜玻璃生产的磁控溅射设备无效
| 申请号： | 200320110407.7 | 申请日： | 2003-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN2716282Y | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 沈琪 | 申请（专利权）人： | 沈琪 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213179江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低辐射膜玻璃生产的磁控溅射设备，具有电解质镀层镀膜室和导电镀层镀膜室，电解质镀层镀膜室的一侧设置有预抽室，电解质镀层镀膜室内设置有镀电解质镀层的磁控靶，导电镀层镀膜室内设置有镀导电镀层的磁控靶，在电解质镀层镀膜室与预抽室间设置有缓冲室，在预抽室与外界、预抽室与缓冲室间、缓冲室与电解质镀层镀膜室间分别设置有隔离密封缝阀，本实用新型的低辐射膜玻璃生产的磁控溅射设备具有生产效率高，均匀性好，可控性强等特点，能镀制低辐射玻璃、阳光控制膜玻璃、单向透视玻璃、高反射镜面玻璃等产品，为目前磁控溅射镀膜玻璃生产线的升级换代产品。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 玻璃 生产 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
1.一种低辐射膜玻璃生产的磁控溅射设备，具有电解质镀层镀膜室(3)和导电镀层镀膜室(4)，电解质镀层镀膜室(3)的一侧设置有预抽室(1)，另一侧与导电镀层镀膜室(4)连接，电解质镀层镀膜室(3)内设置有镀电解质镀层的磁控靶(5)，导电镀层镀膜室(4)内设置有镀导电镀层的磁控靶(6)，其特征是：在电解质镀层镀膜室(3)与预抽室间设置有缓冲室(2)，在预抽室(1)与外界、预抽室(1)与缓冲室(2)间、缓冲室(2)与电解质镀层镀膜室(3)间分别设置有隔离密封缝阀(7)，镀电解质镀层的磁控靶(5)是平面式磁控靶(5)，并与中频交流专用电源(8)连接，镀导电镀层的磁控靶(6)是圆柱形旋转式磁控靶(6)，并与恒流式直流专用电源(9)连接。
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