[实用新型]晶种合成高品级金刚石生成结构无效
申请号: | 200320113511.1 | 申请日: | 2003-12-17 |
公开(公告)号: | CN2671680Y | 公开(公告)日: | 2005-01-19 |
发明(设计)人: | 贾攀;卢灿华 | 申请(专利权)人: | 河南中南工业有限责任公司 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06 |
代理公司: | 南阳市智博维创专利事务所 | 代理人: | 王帆 |
地址: | 47320*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型为金刚石制备技术领域提供一种晶种合成高品级金刚石生成结构。主要特点是:在叶蜡石块合成的套筒腔内壁,嵌套有白云石衬管、白云石环,衬管的内壁及上下端部设有隔离层,隔离层内置放有晶种合成芯柱,白云石环位于衬管上下部位的隔离层和导电金属片之间,并由此构成加热腔体,腔体内置放有加热片,导电圈设置在叶蜡石块套筒内壁两端,并与导电金属片接触。与现有技术相比,采用本实用新型生成结构的高品级金刚石具有晶型好、透明度高、热冲击韧性强等优点。 | ||
搜索关键词: | 合成 品级 金刚石 生成 结构 | ||
【主权项】:
1、一种晶种合成高品级金刚石生成结构,具有叶蜡石块合成的套筒腔[1],导电圈[2]、加热片[8],其特征在于:在叶蜡石块合成的套筒腔[1]内壁,嵌套有白云石衬管[5]、白云石环[4],衬管[5]的内壁及上下端部设有隔离层,隔离层内置放有晶种合成芯柱[9],白云石环[4]位于衬管[5]上下部位的隔离层和导电金属片[3]之间,并由此构成加热腔体,腔体内置放有加热片[8],导电圈[2]设置在叶蜡石块套筒腔[1]内壁两端,并与导电金属片[3]接触。
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