[实用新型]晶界层半导体瓷片的烧成联体炉无效
| 申请号： | 200320119727.9 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN2702256Y | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 章士瀛;王守士;王振平;吴宾;张卓宇;余如鳌 | 申请（专利权）人： | 广东南方宏明电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F27B5/04 | 分类号： | F27B5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523077广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)分别连接控温装置(13)，其内并设有传送装置(10、11、12)；排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5)；还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7)，闸门(6)外侧设有火帘(8)；还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来，气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接；氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。可实现还原烧成后直接进入氧化炉，从而完成一次性烧成晶界层半导体瓷片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶界层 半导体 瓷片 烧成 联体 | ||
【主权项】：
1.晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于：它包括排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)，排胶炉体(1)用于瓷料的锻烧和排胶，还原烧成炉体(2)用于排胶后的瓷片还原烧成，氧化炉体(3)用于还原烧成后的瓷片氧化，排胶炉体(1)的炉膛(1a)、还原烧成炉体(2)的炉膛(2a)和氧化炉体(3)的炉膛(3a)连通；排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)内分别设有传送装置(10、11、12)，可沿炉膛推动承烧物；排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5)；还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7)，闸门(6)外侧设有火帘(8)，形成火帘密封；控温装置(13)连接排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)，分别控制此三个炉体内的烧结温度；排胶炉体(1)上设有排气装置(14)，以排出排胶炉体(1)内胶体碳化物、一氧化碳、二氧化碳气体；还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来，气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接，氢气氮气发生装置(15)和气体配比装置(16)提供给还原烧成炉体(2)按所要求气体浓度成份；氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东南方宏明电子科技股份有限公司，未经广东南方宏明电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200320119727.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
