[实用新型]一种生产高阻隔真空镀铝薄膜的设备无效
申请号: | 200320120783.4 | 申请日: | 2003-12-18 |
公开(公告)号: | CN2725309Y | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 章卫东;陈旭;潘军 | 申请(专利权)人: | 黄山永新股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/20 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐晖 |
地址: | 245000安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开一种高阻隔真空镀铝薄膜的生产设备,包括基材输送装置、真空舟、接受设备,其特征在于:在基材输送装置和真空舟之间将薄膜置于等离子体表面处理设备的高能等离子体区域,即在薄膜处理表面的对面,安装一组在中频交流电压作用下的空心阴极管,以及靠近薄膜另一面设置的磁控管。通过设置的等离子体表面处理设备的高能等离子体区域使等离子体对镀铝薄膜基材的表面进行处理,有效提高了真空镀铝膜的阻隔性能,其阻隔性较同样工艺条件下不经过等离子体表面处理生产的真空镀铝膜提高了3-5倍。具有效果显著,成本低,无污染的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 生产 阻隔 真空 镀铝 薄膜 设备 | ||
【主权项】:
1、一种生产高阻隔真空镀铝薄膜的设备,包括基材输送装置(1)、真空舟(4)、接受设备(5),其特征在于:在基材输送装置(1)和真空舟(4)之间将薄膜(6)置于等离子体表面处理设备的高能等离子体区域,即在薄膜(6)处理表面的对面,安装一组在中频交流电压作用下的空心阴极管(2),以及靠近薄膜另一面设置的磁控管(3)。
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