[实用新型]SiC肖特基紫外探测器

摘要

本实用新型SiC肖特基紫外探测器，特征是其衬底为n+型半导体SiC(1)，衬底背面采用电子束蒸发并合金形成欧姆接触的TiNiAg层(2)，衬底上面是n型SiC外延层(3)，外延层上面中间有源区是电子束蒸发并合金形成肖特基接触的薄金属层(4)，在有源区薄金属层、n型SiC外延层及n+型SiC衬底约三分之一上部的周围是钝化层(5)，在钝化层与有源区薄金属层相邻的区域及有源区薄金属层上面的部分区域是电子束蒸发有源焊接区厚金属层梳状电极(6)，有源区薄金属层上面涂有防反射的透明膜(7)。本探测器可用于检测红外线或可见光背景下的紫外信号。

主权项

1、一种种SiC肖特基紫外探测器，特征在于：其衬底(1)是n+型半导体SiC，衬底(1)背面是采用电子束蒸发并合金形成欧姆接触的Ti、Ni和Ag三层金属或Ni单层金属(2)，衬底(1)上面是n型SiC外延层(3)，外延层(3)上面直径300μm～1000μm的有源区是用电子束蒸发金属并合金形成肖特基接触的薄金属层(4)，其厚度为50nm～150nm，在有源区薄金属层(4)、n型SiC外延层(3)及n+型SiC衬底(1)周围直径为350μm～1050μm的区域是钝化层(5)，在钝化层(5)与有源区薄金属层(4)及有源区薄金属层上面直径为320μm～1020μm的区域是电子束蒸发厚度为0.8～1.2μm的有源焊接区厚金属层梳状电极(6)，在有源区薄金属层上面涂有防反射的透明膜(7)。