[实用新型]半导体激光辐射机无效

专利信息
申请号: 200320125516.6 申请日: 2003-12-22
公开(公告)号: CN2661231Y 公开(公告)日: 2004-12-08
发明(设计)人: 刘龙根 申请(专利权)人: 刘龙根
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 432104*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种脉冲磁场红外热辐射理疗器。半导体激光辐射机,包括低压电源电路、低频脉冲电路、脉冲放大电路,低压电源电路、低频脉冲电路、脉冲放大电路组成低频脉冲放大器,低压电源电路给低频脉冲电路提供低压电源,脉冲放大电路放大低频脉冲电路的脉冲信号,空心电感线圈与砷化镓红外发射管相串联,并与脉冲放大电路相连接;空心电感线圈与砷化镓红外发射管组成理疗器工作头,理疗器工作头与低频脉冲放大器由脉冲输入插头(12)与脉冲输出插座(1)相连接;其特征是:砷化镓红外发射管为7-16支。本实用新型的辐射功率增大,应用效果佳。
搜索关键词: 半导体 激光 辐射
【主权项】:
1.半导体激光辐射机,包括低压电源电路、低频脉冲电路、脉冲放大电路,低压电源电路、低频脉冲电路、脉冲放大电路组成低频脉冲放大器,低压电源电路给低频脉冲电路提供低压电源,脉冲放大电路放大低频脉冲电路的脉冲信号,空心电感线圈与砷化镓红外发射管相串联,并与脉冲放大电路相连接;空心电感线圈与砷化镓红外发射管组成理疗器工作头,理疗工作头与低频脉冲放大器由脉冲输入插头(12)与脉冲输出插座(1)相连接;其特征是:砷化镓红外发射管为7-16支。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘龙根,未经刘龙根许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200320125516.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top