[实用新型]一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置无效
| 申请号： | 200320129498.9 | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN2666930Y | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 赖占平;高瑞良;齐德格;周春锋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 郭禾 |
| 地址： | 30022*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种工艺装置较为简单，生产过程中产生的杂质沾污少的生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置。该装置设有环形保温筒，保温筒上盖的内环边沿设有截锥形保温罩，保温罩的下圆浸入到坩埚中的液封层中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 尺寸 绝缘 砷化镓单晶 装置 | ||
【主权项】：
1、一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置，包括压力容器、压力容器内设置的坩埚和坩埚托、拉晶杆、围绕坩埚和坩埚托设置的加热器及保温结构和保温罩，其特征在于，保温结构由环形保温筒(11b)、保温筒上盖(11a)和保温筒下盖(11c)组成，其中环形保温筒(11b)围绕加热器(12)设置，环形保温筒(11b)的上部设有保温筒上盖(11a)，下部设有保温筒下盖(11c)；在保温筒下盖(11c)的下部有支架(14)支撑；截锥形的保温罩(4)沿保温筒上盖(11a)的内环边沿设置；保温罩(4)的上圆外沿设有环形平台，环形平台外沿向下设有高度为40-80毫米的环形支撑，保温罩的环形支撑放置于保温筒上盖(11a)的环形槽内，保温罩(4)的下圆浸入到坩埚(1)中的液封层(5)中；
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