[实用新型]用于650nm光纤通信的光电探测器无效
| 申请号： | 200320132114.9 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN2713738Y | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈朝;刘丽娜 | 申请（专利权）人： | 厦门三优光机电科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/02 | 分类号： | H04B10/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361012福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涉及一种用于650nm光纤通信的光电探测器，为重掺杂的P+表面层/P型层/低掺杂N－型外延层/重掺杂N+衬底层四层结构。其I－V特性好、暗电流小、光响应度高。重掺杂的P+表面层很薄，大大减少了“死层”的厚度，使大部分入射光穿过P+层并射入P层和I层，产生有效的光生载流子。P区中的低的杂质浓度使俄歇复合等重掺杂效应均可忽略。由掺杂效应引起的缺陷密度显著降低，减小发射区的复合中心浓度，P区的光生载流子的寿命和扩散长度明显加长。克服普通光电探测器的不利因素，减少光生载流子在发射区中的复合损失，改善发射区性能，明显提高短波量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 650 nm 光纤通信 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1、用于650nm光纤通信的光电探测器，其特征在于为重掺杂的P+表面层/P型层/低掺杂N-型外延层/重掺杂N+衬底层，即P+/P/I(N-)/N+四层结构。
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