[发明专利]使用整合技术的组合式非易失性存储器无效

专利信息
申请号: 200380100008.5 申请日: 2003-10-16
公开(公告)号: CN1720587A 公开(公告)日: 2006-01-11
发明(设计)人: 彼得·W·李;许富菖;曹兴亚;马汉瑞 申请(专利权)人: 柰米闪芯集成电路有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王玉双;高龙鑫
地址: 美国加利福尼*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种包含存储单元的组合式EEPROM及快闪存储器,该快闪存储单元的堆栈栅晶体管结合一选择晶体管形成一EEPROM存储单元,该选择晶体管足够小使得该EEPROM存储单元能够兼容于这些快闪存储单元的位线间距,促使两存储器组合成包含两存储单元的存储库,该EEPROM存储单元以字节为单位进行擦除,而快闪存储单元以区块为单位进行擦除,小选择晶体管具有小通道长度及宽度,在信道热电子(CHE)程序化作业时,可借助增加该选择晶体管的栅极电压及预充电位线来补偿。
搜索关键词: 使用 整合 技术 组合式 非易失性存储器
【主权项】:
1、一种非易失性存储器阵列,其特征在于包括:多个快闪存储单元结合多个EEPROM存储单元形成一非易失性存储器;这些快闪存储单元建构成多个区块;这些EEPROM存储单元建构成多个字节;及控制这些快闪存储单元及这些EEPROM存储单元以提供一同时读写能力,其中该写入作业包括一擦除作业及一程序化作业。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柰米闪芯集成电路有限公司,未经柰米闪芯集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380100008.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top