[发明专利]光记录介质主盘曝光装置及光记录介质主盘曝光方法无效
申请号: | 200380100142.5 | 申请日: | 2003-10-14 |
公开(公告)号: | CN1685406A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 玉田作哉 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B7/125 | 分类号: | G11B7/125;G11B7/135;G11B7/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种光记录介质主盘曝光装置,包括根据记录信息调制曝光光源(1)发出的光强度的调制组件(3);和聚焦光学系统(9),该系统用于将经由调制组件(3)调制的光聚焦在光记录介质主盘(11)上的光致抗蚀剂(12)上,从而根据记录信息构图曝光光致抗蚀剂(12)。曝光光源(1)由重复频率处于一倍至二十倍于所述记录信息时钟频率范围内的整数倍的超短波脉冲激光器组成。该光记录介质主盘装置包括外同步机构,以改变该超短波脉冲激光器的谐振腔长度,将超短波脉冲激光器的重复频率锁模成与时钟频率同步,使超短波脉冲激光器发射出脉冲,从而高精度地形成微凹坑。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 曝光 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光记录介质主盘曝光装置,包括一调制组件,该调制组件根据记录信息调制曝光光源发出的光强度;和一聚焦光学系统,该系统用于将经过所述调制组件调制的光聚焦在光记录介质主盘上的光致抗蚀剂上,从而根据所述记录信息构图曝光所述光致抗蚀剂,所述光记录介质主盘曝光装置的特征在于,所述曝光光源由重复频率处于一倍至二十倍于所述记录信息时钟频率范围内的整数倍的超短波脉冲激光器组成;所述光记录介质主盘曝光装置包括一外同步机构,用于改变所述超短波脉冲激光器的谐振腔长度,以便将所述超短波脉冲激光器的重复频率锁模成与所述时钟频率同步,从而使所述超短波脉冲激光器发射脉冲。
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