[发明专利]高频层叠构件及其制造方法无效
| 申请号： | 200380100148.2 | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1685776A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 栉谷洋;龟山一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K1/11;H05K3/00;H05K3/40;H01L23/12;H01P3/08;H01G4/40;H01F27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在无线通信机等的高频装置中使用的高频层叠构件及其制造方法，其目的在于实现高频层叠构件的小型化。为了实现该目的，在本高频层叠构件中，在电介质中形成的通孔电极(3)的周围形成其介电常数比其它的电介质部分的介电常数低的电介质层(4)。通过设置低介电常数的电介质层(4)，由于可抑制通孔电极(3)与在其周边存在的电路电极(22)的导电性的干扰，故与以往相比可更接近地配置电路电极和通孔电极，可实现高频层叠构件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 层叠 构件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频层叠构件，由2个以上的电路电极层、包围上述电路电极层的电介质、贯通上述电介质的贯通孔和被充填在上述贯通孔中的导电体构成，具有连接上述电路电极层的通孔电极，其特征在于：在上述通孔电极的周围具有其介电常数比上述电介质的介电常数低的第一电介质层。
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