[发明专利]化合物半导体单晶的制造方法和晶体生长装置有效
| 申请号： | 200380100243.2 | 申请日： | 2003-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1692185A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 朝日聪明;佐藤贤次;矢边贵幸;荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B29/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用了双重坩埚结构的晶体生长装置的LEC法的化合物半导体单晶的制造方法中，采用设置了可将在顶端具有晶种夹持部的晶体提拉轴导入到上述第2坩埚的贯通口的板状部件，盖在上述第2坩埚上，形成上述第2坩埚内的气氛几乎不变化的状态(半密闭状态)，使晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 方法 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体单晶的制造方法，其特征在于，在由有底圆筒形的第1坩埚、以配置在该第1坩埚内侧的状态在底部具有与上述第1坩埚的连通孔的第2坩埚构成的原料熔融液盛装部盛装半导体原料和密封剂，采用设置了可将在顶端具有晶种夹持部的晶体提拉轴导入到上述第2坩埚的贯通口的板状部件，盖在上述第2坩埚上，形成上述第2坩埚内的气氛几乎不变化的状态，加热上述原料盛装部熔融原料，使上述晶体提拉轴降下，使上述原料熔融液表面接触晶种，一边使该晶体提拉轴上升一边使晶体生长。
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