[发明专利]等离子成膜设备

摘要

在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。

主权项

1.一种在等离子体的作用下在基材表面上形成膜的等离子体成膜设备，包括：(A)包含所述膜的原材料的第一种气体供应源；(B)第二种气体供应源，它由等离子体放电引起以达到激发状态、但是不包含能形成到膜形式中的组分；(C)与所述基材对面放置的加工头；所述的加工头设置有：(a)接地的接地电极；和(b)连接到电源并在所述的接地电极和所述的电场施加电极之间形成等离子体放电空间的电场施加电极；所述的加工头形成有：(c)第一种流道，用于将来自从所述第一种气体供应源的第一种气体以避开所述等离子体放电空间或离所述等离子体放电空间很近地通过的方式引入到所述的基材；(d)第二种流道，其包括所述的等离子体放电空间，并用于在使所述第二种气体通过所述等离子体放电空间之后使来自所述第二种气体供应源的第二种气体接触所述第一种气体。