[发明专利]半导体器件制造方法、等离子处理设备及等离子处理方法

摘要

提供一种半导体器件的制造方法，该方法将其上形成有多个半导体元件的半导体晶片6划分为单片半导体元件。在电路形成面6a的相反面的厚度通过机械加工减小后，通过抗蚀剂薄膜31a形成用于确定切割线31b的掩模，并且当等离子从掩模一侧暴露时，通过在切割线部分31b上进行等离子蚀刻将半导体晶片6分割为单片半导体元件6c，然后通过等离子去除抗蚀剂薄膜31a，再通过等离子蚀刻去除机械加工面上产生的微缝层6b。以上一系列等离子处理通过同一等离子处理设备执行。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其中在其第一表面上形成有多个半导体元件的半导体晶片被分割为单片半导体元件以获得厚度不超过100μm的半导体器件，该方法包括：贴片步骤，向所述第一表面贴上可以剥除的保护片；减小厚度步骤，对与所述第一表面相反的第二表面通过机械加工进行刮削使得所述半导体晶片的厚度减小到不大于100μm；掩模形成步骤，在所述第二表面上形成用于确定将所述半导体晶片分割为单片的切割线的掩模；等离子划片步骤，当所述半导体晶片从所述掩模一侧暴露于等离子时，通过在所述切割线上进行等离子蚀刻将所述半导体晶片分割为单片；掩模去除步骤，利用等离子去除所述掩模；微缝去除步骤，通过在已经去除所述掩模的所述第二表面上进行等离子蚀刻来去除在所述减小厚度步骤中在所述第二表面上产生的微缝；以及剥片步骤，从已获得的作为单片的每个半导体器件上剥除所述保护片。