[发明专利]等离子腐蚀室及使用其的等离子腐蚀系统

摘要

本发明涉及等离子腐蚀室及使用其的等离子腐蚀系统，并提供能彻底清洗晶片圆周边缘的等离子腐蚀室，用等离子腐蚀来干洗堆积于晶片圆周边缘的膜质和微粒，在晶片的圆周边缘的上面至底面区域产生等离子；对于经由阴极附加射频的晶片圆周边缘，具有在其上下相对应的一对阳极；在晶片的圆周边缘的上下侧相向设置阴极和阳极，互相对峙的间隙的周边部用窗口环防护；等离子腐蚀系统可以实现：陈列多个上述构成的等离子腐蚀室，现有的机械手从多个容纳盒或负载端口取出晶片一并经由晶片排列部对准OF位置矫正姿势后，经由装载搁置室或者直接装入上述等离子腐蚀室进行腐蚀，腐蚀后的晶片又被机械手取出经由装载搁置室或者直接收纳于暗盒或负载端口。

主权项

1、一种等离子腐蚀室，其特征在于，包括：在等离子腐蚀室中，将晶片装载于平台上，晶片圆周端部定位于环状的上下部电极之间，向上述晶片的中心部经由上侧电极的中心喷入氮气作为非放电区域的同时，一面在上述电极的圆周边缘喷入反应气体，一面进行气体放电，只在上述晶片的圆周边缘进行腐蚀；阴极，设置于上述平台的内部，向晶片附加射频；环状的下部阳极，在上述平台的外圆周，低于晶片的圆周边缘位置配置的；电极，可自由升降地设置在上述平台的上方；绝缘体，安装于上述电极的底面，与上述平台的上表面相向的底面中央设有凹部；在上述绝缘体的外圆周，相邻反应气体出口配置环状的上部阳极，在上述晶片的圆周边缘和环状上下部阳极之间产成等离子。