[发明专利]掩模校正方法

摘要

一种用于通过光学邻近效果校正光掩模的方法，使得可以降低在测试掩模和校正掩模之间的取决于图案密集度的线宽的误差的掩模间的差。本发明包括：步骤(s₁)，制作用作为所述光学邻近效果校正所需要的处理模型提取掩模的测试掩模；步骤(s₂，s₃)，将所述测试掩模的掩模图案转印到晶片，并且测量转印图案的尺寸；步骤(s₄)，导出函数模型(被称为处理模型)，使得通过使用函数模型所得的光掩模的掩模图案的转印图案的模拟结果匹配在所述测量步骤获得的测量结果；步骤(s₅)，通过使用所述处理模型而形成掩模图案，使得其转印图案匹配所述设计图案，并且按照所形成的掩模图案来在光掩模上创建掩模数据；步骤(s₆)，按照所述被创建的掩模数据制作校正掩模；曝光条件设置步骤(s₇)，当转印校正掩模时，通过控制曝光系统的数值孔径(NA)或光照条件(σ)的至少一个，来确定关于间距的幅度OPE特征变得平坦的条件。

主权项

1.一种使用光学邻近效果校正方法来校正光掩模的方法，所述方法用于校正光掩模，包括步骤：制作测试掩模，该测试掩模作为用于提取应用所述光学邻近效果校正方法所需要的函数模型的掩模；所述测试掩模的掩模图案转印到晶片上，并且测量转印图案的尺寸；获得函数模型(被称为处理模型)，它使得在所述晶片上的所述光掩模的转印图案的尺寸的模拟结果与在所述转印和测量步骤获得的测量结果相匹配；使用所述处理模型来获得其转印图案匹配于设计图案的掩模图案，并且按照所获得的掩模图案来创建掩模数据；按照所述被创建的掩模数据制作校正掩模；以及设置曝光条件来获得曝光器件的数值孔径(NA)和相干因子(σ)的至少一个，以便当转印所述校正掩模时OPE特征在图案间距的预定范围中变得平坦。