[发明专利]基于氮化镓的装置和制造方法无效
| 申请号： | 200380100487.0 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1692499A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郭世平;大卫·戈特霍尔德;米兰·波夫里斯蒂克;鲍里斯·佩雷斯;伊凡·伊莱亚谢维奇;布赖恩·S·谢尔顿;亚历克斯·D·赛鲁齐;米歇尔·墨菲;理查德·A·斯托 | 申请（专利权）人： | 昂科公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L31/0328;H01L27/095 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在硅基板(10、210)上生成的氮化物半导体(34，234)，其通过沉积少量单层铝(14，214)以保护硅基板使其在生长过程中不受所用的氨的影响，然后从氮化铝形成晶核形成层(16、216)，并形成包括AlRGa (1－R) N半导体多个超晶格(18、26、218)的缓冲结构(32、232)，该AlRGa (1－R) N半导体具有不同组合物并具有GaN或其他富Ga氮化物半导体的中间层(24、224)。所得结构具有优异的晶体质量。可在完成装置前除去外延生长所用的硅基板，以在装置如高电子迁移率晶体管中提供优异的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包含：(a)硅基板；(b)直接覆在该基板第一表面上的铝层；(c)直接覆在该铝层上的氮化物半导体多晶核形成层；(d)缓冲结构，其包括一或多种覆在该晶核形成层上的超晶格，各该超晶格包括复数个不同组成的基于氮化物的半导体；及(e)覆在该缓冲结构上的一或多种基于氮化镓的半导体的操作结构。
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