[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

摘要

可提高发光特性的半导体发光元件，在低电阻的硅衬底上设有缓冲层、n型半导体层、多重阱结构活性层(4)、p型半导体层。多重阱结构活性层(4)由以下部分构成：由多个In_yGa_1－yN构成的第一障壁层(7)，由多个Al_aGa_bIn_1－a－bN构成的第一辅助层(9)，以及由In_xGa_1－xN构成的阱层(8)，由Al_a′Ga_b′In_{1－a′－b′}N构成的第二辅助层(10)。第一辅助层(9)和第二辅助层(10)防止In的蒸发或扩散。

主权项

1.一种具有量子阱结构活性层的半导体发光元件的制造方法，其特征在于包括：准备第一导电型半导体层(3)的工序，以及形成量子阱结构的活性层(4)的工序，该工序包括用有机金属化学气相生长法在所述第一导电型半导体层(3)上形成由InyGa1-yN构成的第一障壁层(7)的第一工序，其中y是满足0＜y≤0.5的数值；用有机金属化学气相生长法在所述第一障壁层(7)上形成由AlaGabIn1-a-bN构成的第一辅助层(9)的第二工序，其中a、b是满足0＜a、b＜1、a+b≤1的数值；用有机金属化学气相生长法在所述第一辅助层(9)上形成由InxGa1-xN构成的阱层(8)的第三工序，其中x是满足0＜x≤0.5且y＜x的数值；用有机金属化学气相生长法在所述阱层(8)上形成由Ala′Gab′In1-a′-b′N构成的第二辅助层(10)的第四工序，其中a′、b′是满足0＜a′、b′＜1、a′+b′≤1的数值；以及用有机金属化学气相生长法在所述第二辅助层(10)上形成由InyGa1-yN构成的第二障壁层(7)的第五工序，其中y是满足0＜y≤0.5的数值。