[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200380100574.6 | 申请日： | 2003-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN1692476A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 河西繁;长田勇辉;荻野贵史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的等离子体处理装置具有：容纳被处理基板的腔室；向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波。所述微波导入装置具有：输出多个规定输出的微波的微波振荡器；天线部，具有分别传送从所述微波振荡器输出的多个微波的多个天线。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：容纳被处理基板的腔室；向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波，所述微波导入装置具有：输出多个规定输出的微波的微波振荡器；天线部，具有分别传送从所述微波振荡器输出的多个微波的多个天线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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