[发明专利]制造具有高介电常数栅极电介质的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200380100581.6 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1692500A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 贾斯廷·布拉斯克;马克·多齐;约翰·巴纳科;罗伯特·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底(100)上形成高k栅极电介质层(110)，然后在高k栅极电介质层上形成覆盖层(115)。在氧化覆盖层以在高k栅极电介质层上形成覆盖电介质氧化物(125)之后，在覆盖电介质氧化物上形成栅电极(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 介电常数 栅极 电介质 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成高介电常数栅极电介质层；在所述高介电常数栅极电介质层上形成覆盖层；氧化所述覆盖层，以在所述高介电常数栅极电介质层上形成覆盖电介质氧化物；然后在所述覆盖电介质氧化物上形成栅电极。
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