[发明专利]制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石

摘要

本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为10⁷Ω/□或更低。

主权项

1.一种制备n-型半导体金刚石的方法，其特征在于，具有以下步骤：向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子、使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石的步骤，和在800℃至低于1800℃范围内的温度退火所述结合有Li和N的金刚石的步骤。