[发明专利]偏转线圈及阴极射线管装置无效
| 申请号： | 200380100691.2 | 申请日： | 2003-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1692467A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 岩崎胜世 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/76 | 分类号： | H01J29/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种偏转线圈及具有该偏转线圈的阴极射线管装置，该偏转线圈能够补正永久磁铁的个体差所引起的磁化强度偏差，并且即使对装置的温度变化也能够持续地进行适当的光栅失真补正。为实现该目的，在本发明的CRT装置(1)的偏转线圈(30)中的补正单元(340)中，在永久磁体(341)的两端面(341a、341b)中的至少一个面上以对其进行覆盖的方式装配有磁性体(342)，该磁性体(342)具有导磁率以负温度特性变化的特性。而且，在偏转线圈(30)中，以相对于CRT(10)的管轴对称的状态设有上下一对补正单元(340)。 | ||
| 搜索关键词： | 偏转线圈 阴极射线管 装置 | ||
【主权项】：
1.一种偏转线圈，配置在阴极射线管的外周，并对从收纳于上述阴极射线管的管颈部的电子枪向荧光面射出的电子束施加偏转磁场，而使该电子束在荧光面上扫描，其特征在于，具有用于补正电子束在上述荧光面上的照射位置的磁铁，该磁铁在S极及N极的两端面中的至少一个面上装配着导磁率以负温度特性变化的磁性体。
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